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產(chǎn)品展示/ Product display
半導(dǎo)體高低溫循環(huán)試驗(yàn)箱 芯片環(huán)境性檢測(cè)箱專為芯片環(huán)境性檢測(cè)而設(shè)計(jì),是模擬復(fù)雜溫度環(huán)境的專業(yè)設(shè)備。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,芯片性能受溫度影響顯著,該試驗(yàn)箱通過精準(zhǔn)控溫,模擬芯片從研發(fā)到應(yīng)用全流程可能遭遇的高低溫場(chǎng)景,助力企業(yè)全面評(píng)估芯片性能,為提升產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性提供關(guān)鍵支撐。
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半導(dǎo)體高低溫循環(huán)試驗(yàn)箱 芯片環(huán)境性檢測(cè)箱
一、產(chǎn)品概述
芯片可靠性測(cè)試:模擬高溫、低溫以及高低溫交替環(huán)境,長時(shí)間考驗(yàn)芯片穩(wěn)定性,排查潛在故障隱患,評(píng)估芯片在不同溫度下的壽命,確保產(chǎn)品在實(shí)際使用中的可靠性。
材料兼容性檢測(cè):檢測(cè)芯片封裝材料與芯片內(nèi)部材料在溫度變化時(shí)的兼容性,防止因熱脹冷縮系數(shù)差異導(dǎo)致的材料分離、裂縫等問題,保證芯片封裝完整性。
工藝優(yōu)化驗(yàn)證:助力半導(dǎo)體制造企業(yè)驗(yàn)證新制造工藝、新封裝技術(shù)對(duì)芯片溫度適應(yīng)性的提升效果,為工藝改進(jìn)提供數(shù)據(jù)依據(jù),提高芯片生產(chǎn)良率。
新品研發(fā)測(cè)試:在新芯片研發(fā)階段,快速模擬多種溫度條件,幫助研發(fā)團(tuán)隊(duì)了解芯片性能變化趨勢(shì),加速產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程,縮短上市周期。
半導(dǎo)體高低溫循環(huán)試驗(yàn)箱 芯片環(huán)境性檢測(cè)箱
三、技術(shù)參數(shù)
溫度范圍:通??蛇_(dá) - 70℃至 + 180℃,部分型號(hào)可實(shí)現(xiàn)更寬溫域,滿足環(huán)境模擬需求,如超低溫環(huán)境下芯片的冷啟動(dòng)測(cè)試及高溫環(huán)境下芯片的持續(xù)運(yùn)行測(cè)試。
溫度波動(dòng)度:≤±0.5℃,高精度控溫保證測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性與重復(fù)性,減少溫度誤差對(duì)芯片測(cè)試結(jié)果的干擾。
溫度均勻度:≤±2℃,確保箱內(nèi)各區(qū)域溫度一致,使不同位置芯片樣品接受相同溫度環(huán)境考驗(yàn),提升測(cè)試公平性。
升溫速率:可達(dá) 5℃/min - 20℃/min,可依據(jù)測(cè)試需求靈活調(diào)節(jié),模擬芯片在快速升溫場(chǎng)景下的性能表現(xiàn)。
降溫速率:一般為 3℃/min - 15℃/min,實(shí)現(xiàn)快速降溫,滿足芯片熱沖擊測(cè)試中對(duì)降溫速度的要求。
四、箱體結(jié)構(gòu)與材質(zhì)
內(nèi)膽:采用 SUS304 不銹鋼材質(zhì),具備優(yōu)良耐腐蝕性,可抵御高低溫環(huán)境侵蝕,避免生銹影響箱內(nèi)環(huán)境,且表面光滑,便于清潔維護(hù)。
外膽:選用冷軋鋼板并經(jīng)噴塑處理,增強(qiáng)設(shè)備機(jī)械強(qiáng)度,同時(shí)提升外觀質(zhì)感與防銹能力,延長設(shè)備使用壽命。
保溫層:填充硬質(zhì)聚氨酯泡沫和玻璃纖維,具有出色隔熱性能,有效減少箱內(nèi)熱量散失,降低能耗,維持箱內(nèi)溫度穩(wěn)定。
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